第三代半导体材料发展步入快车道

2019年04月11日 来源:

第三代半导体材料发展步入快车道

作者:未知来源:解放军报

原标题:第三代半导体材料发展步入快车道

不同于代与第二代半导体材料,第三代半导体材料是以氮化镓和碳化硅为代表的宽禁带半导体材料,在导热率、抗辐射能力、击穿电场能力、电子饱和速率等方面优势突出,更适用于高温、高频、抗辐射的场合。有关专家指出,第三代半导体器件将在新能源汽车、消费类电子领域实现大规模应用。

随着制备工艺逐步成熟和生产成本的不断降低,第三代半导体材料正以其优良的性能突破传统材料的瓶颈,成为半导体技术研究前沿和产业竞争焦点,美、日以及欧盟都在积极进行战略部署。美国已经将部署第三代半导体战略提升到国家层面,先后启动实施了宽禁带半导体技术创新计划氮化物电子下一代技术计划等,制定颁布了《国家先进制造战略规划》等法规条例。欧盟在第三代半导体发展中以联合研发项目为主,力图通过对各成员国的资源优化配置,使欧盟在半导体领域保持国际水平。日本作为全球个以半导体照明技术为主的国家,在第三代半导体器件制备与应用方面已经达到水平。

第三代半导体材料之所以备受青睐,在于其广泛的应用价值淮安手表回收
,无论是在军用领域还是民用市场,都是各国争夺的科技制高点。利用第三代半导体材料制造微波器件,可显著降低功率转换损耗,提高极限工作温度。目前,该类微波器件已开始用于军用雷达、智能武器和通信系统等方面。

在电力电子器件制造方面,以宽禁带半导体材料制备的新一代电力电子器件损耗更低、效率更高,能够在智能电工程中一展身手。新一代电力电子器件将会在电力系统的发电、输电、配电等环节发挥节能效用聚氨酯复合板
,降低电力损耗。

在激光器应用领域苏州回收电子
,氮化镓激光器已经成功用于蓝光DVD,在微型投影、激光3D投影等领域拥有巨大的市场空间。有学者认为,下一代照明技术将是基于氮化镓激光器的激光照明技术,有望将照明和显示融合发展。由于氮化镓优异的光电特性和耐辐射性能,还可以用作高能射线探测器,例如核辐射探测器、X射线成像仪等。

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